属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 80mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.25W
类型 P沟道
供应KEC品牌 KMB3D0P30SA-RTK/P 原装现货
属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 80mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.25W
类型 P沟道